1月17日快讯:清溢光电:正在推进28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划

导读 清溢光电近期接受投资者调研时称,半导体芯片掩膜版技术方面,公司已实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的量产,已实现150nm工艺节点半...

清溢光电近期接受投资者调研时称,半导体芯片掩膜版技术方面,公司已实现180nm工艺节点半导体芯片掩膜版的量产,已实现150nm工艺节点半导体芯片掩膜版的客户测试认证,正在推进130nm-65nm的PSM和OPC工艺的掩膜版开发和28nm半导体芯片所需的掩膜版工艺开发规划。

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